Ablation Laser
Ablation Laser
Informations complémentaires
| FABRICANT | INRS | 
|---|---|
| MODÈLE | IPEX | 
Échantillons
- Taille d’échantillons 25 mm (1 po)
 - Température : ambiante à 850 °C
 - Pression : 10-5 Torr à 100 Torr
 
Caractéristiques
- Source laser 1: PulseMaster 848 de GSI Lumonics (100Hz).
 - Source laser 2: PulseMaster 846 de GSI Lumonics (50 Hz).
 - Distance minimum cible substrat de 4 cm, et ajustable jusqu’à 8 cm pour une meilleure uniformité.
 - Possibilités de dépôt sous pression résiduelle de gaz, soit O2, Ar, H2, He, ou N2.
 - Porte échantillon rotatif pouvant être utilisé jusqu’à 600 °C.
 - Porte échantillon fixe pouvant être utilisé jusqu’à 850 °C.
 - Système permettant de sélectionner jusqu’à 4 cibles et permettre ainsi de déposer des multicouches sans remise à l’air.
 - Système permettant d’évaporer deux cibles en même temps et permettre ainsi de déposer des composites.
 
PROCÉDÉS DE ROUTINE
Dépôt
Matériaux Simples
- Types de matériaux : Au, Pt, Ir, Rh, Ni, Si, DLC, Ru…
 - Épaisseur : de 10 nm à ~ µm (dépendant du stress du film)
 
Nitrure
- Types de nitrure : Si3N4
 - Épaisseur : de 10 nm à ~ µm (dépendant du stress du film)
 
PROCÉDÉS DE ROUTINE
Dépôt
Oxyde
- Types d’oxydes : SiO2, BST, PZT, CBN, RuO2, RuO2, BiFeO3, SrRuO3, SnO2 …
 - Épaisseur : de 10 nm à ~ µm (dépendant du stress du film)
 
Alliages
- Types d’alliages : Pt-Ru, Pt-Au, Ir-Rh, …
 - Épaisseur : de 10 nm à ~ µm (dépendant du stress du film)
 
Pour utiliser cet équipement
Les équipements présents sont accessibles à la communauté de recherche académique et industrielle.
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