Ablation Laser
Ablation Laser
Informations complémentaires
FABRICANT | INRS |
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MODÈLE | IPEX |
Échantillons
- Taille d’échantillons 25 mm (1 po)
- Température : ambiante à 850 °C
- Pression : 10-5 Torr à 100 Torr
Caractéristiques
- Source laser 1: PulseMaster 848 de GSI Lumonics (100Hz).
- Source laser 2: PulseMaster 846 de GSI Lumonics (50 Hz).
- Distance minimum cible substrat de 4 cm, et ajustable jusqu’à 8 cm pour une meilleure uniformité.
- Possibilités de dépôt sous pression résiduelle de gaz, soit O2, Ar, H2, He, ou N2.
- Porte échantillon rotatif pouvant être utilisé jusqu’à 600 °C.
- Porte échantillon fixe pouvant être utilisé jusqu’à 850 °C.
- Système permettant de sélectionner jusqu’à 4 cibles et permettre ainsi de déposer des multicouches sans remise à l’air.
- Système permettant d’évaporer deux cibles en même temps et permettre ainsi de déposer des composites.
PROCÉDÉS DE ROUTINE
Dépôt
Matériaux Simples
- Types de matériaux : Au, Pt, Ir, Rh, Ni, Si, DLC, Ru…
- Épaisseur : de 10 nm à ~ µm (dépendant du stress du film)
Nitrure
- Types de nitrure : Si3N4
- Épaisseur : de 10 nm à ~ µm (dépendant du stress du film)
PROCÉDÉS DE ROUTINE
Dépôt
Oxyde
- Types d’oxydes : SiO2, BST, PZT, CBN, RuO2, RuO2, BiFeO3, SrRuO3, SnO2 …
- Épaisseur : de 10 nm à ~ µm (dépendant du stress du film)
Alliages
- Types d’alliages : Pt-Ru, Pt-Au, Ir-Rh, …
- Épaisseur : de 10 nm à ~ µm (dépendant du stress du film)
Pour utiliser cet équipement
Les équipements présents sont accessibles à la communauté de recherche académique et industrielle.
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