Dépôt Chimique en Phase Vapeur (pecvd)

Informations complémentaires

Échantillons

• Taille d’échantillons: maximum 150 mm (6ˮ)
• Uniformité sur la gaufre: moins de ± 5 %

Températures et Gaz

• Température : ambiant jusqu’à 400 °C
• Gaz : SiH4, N2, NH3, N2O, CF4, Ar, O2
• Pression: 1 à 1500 mTorr

Caractéristiques

• Électrodes en configuration parallèle opérant à 13.56 MHz
• Électrodes de 240 mm avec accord d’impédance automatique
• Entrée de gaz de type "douche" optimisée pour le dépôt PECVD
• Puissance d’opération : jusqu’à 600 W
• Espacement des électrodes est variable, contrôlée par la position de l’électrode inférieure
• Mode ‘mélange de fréquence’ (500 W, 50 kHz-460 kHz sur l’électrode inférieure) pour des dépôts avec contrôle de contraintes
• Chargement rapide des échantillons (loadlock)
• Nettoyage de la chambre contrôlée par spectroscopie optique

PROCÉDÉS DE ROUTINE

Dépôt de Silicium

• Type: a-Si
• Épaisseur : minimum ~ 100 nm
• Taux de dépôt : ~ 25 nm/min
• Température de déposition : >200 °C
• Stress mécanique : faiblement compressif (< 300 MPa)

PROCÉDÉS DE ROUTINE

Dépôt d’oxyde

• Type d’oxyde : SiOx
• Épaisseur : ~ 50 nm à moins de 10 µm
• Taux de dépôt : ~ 60 nm/min
• Température de déposition : 400 °C
• Stress mécanique : ~ 50 MPa
• Index de réfraction : 1.47 < ƞ > 1.55

Dépôt de SiC

• Type de SiC : SixC1-x (x ~ 0.5)
• Épaisseur : ~ 50 nm à plus de X µm
• Taux de dépôt : ~ 50 nm/min
• Température de déposition : 400 °C
• Stress mécanique : compressif (~ 100 MPa)

PROCÉDÉS DE ROUTINE

Dépôt de nitrure

• Type de nitrure : SiNx
• Épaisseur : ~ 100 nm à moins de 10 µm
• Taux de dépôt : > 10 nm/min
• Température de déposition : 300 °C
• Stress mécanique : faible stress (~ 100 MPa)
• Index de réfraction : 1.99

Diamond-Like Carbon (DLC)

• Épaisseur : ~ 10 nm ~ 100 nm
• Taux de dépôt : ~ 10 nm/min
• Température de déposition : ambiant
• Stress mécanique : compressif (> GPa)
• Dureté mécanique : 15 GPa