Pulvérisateur à Magnétron

Informations complémentaires

Échantillons

• Taille d’échantillons : 1 mm à 100 mm (4 po)
• Uniformité sur la gaufre : 13% sur 100 mm (4 po)

Caractéristiques

• Pression : jusqu’à 1×10-6 Torr
• Sas pour transfère d’échantillons
• Type de cibles : 50 mm (2 po) de diamètre, pureté de 99.9%
• Substrats permis : Semiconducteurs, métaux et plastiques
• Gaz disponibles : Ar, N2, O2
• Nombre de magnétrons : 3
• Taux de dépôt : 1 à 10 Å/s

PROCÉDÉS DE ROUTINE

Dépôt de Silicium

• Épaisseur: de 10 nm à 2000 nm

Dépôt de Métaux

• Type: Au, Cr, Ni
• Épaisseur : de 10 nm à 2000 nm

PROCÉDÉS DE ROUTINE

Dépôt d’oxide

• Type: ITO, silicon dioxide
• Épaisseur : de 10 nm à 2000 nm

Dépôt de Nitrure

• Type: silicon nitride
• Épaisseur : de 10 nm à 2000 nm