DES POINTS QUANTIQUES DE SILICIUM POUR LES MÉMOIRES ÉLECTRONIQUES

+PERFORMANT +PETIT +INTÉGRÉ

Les cartes mémoires et autres clés USB font partie intégrante de notre quotidien. L’approche du Pr. Drouin pourrait révolutionner leur conception.

Des matrices ordonnées de trous infiniment petits dans une couche de nitrure de silicium ont été obtenues en combinant la lithographie électronique et la gravure plasma. Par la suite, une impulsion courte de courant électrochimique permet la formation d’un nanocristal de silicium par trou. Ceci résulte, en une matrice de cristaux de haute qualité ayant une morphologie reproductible et donc adressable dans un système de stockage réel.

RÉFÉRENCE

[1] A. Ayari-Kanoun, A. Jaouad, A. Souifi, D. Drouin, J. Beauvais, Journal of Vacuum Science & Technology B, 29 (5), 051802 (2011)

CHERCHEURS IMPLIQUÉS

Pr. D. Drouin et Pr. J. Beauvais (Université de Sherbrooke), Pr. A Souifi (INSA Lyon)

LA CONTRIBUTION IRDQ