+EFFICACE +INTÉGRÉ
Le professeur El-Gamal a présenté une technologie d’encapsulation par couches minces pour les MEMS à très haute intégration sur tranches de silicium. La spécificité de cette technologie réside dans l’utilisation qu’elle fait du SiC comme principal élément de sa structure, et son procédé de fabrication est totalement compatible avec la technologie CMOS. Plusieurs dispositifs à MEMS exigent un enrobage, soit uniquement pour les protéger, soit pour améliorer leur performance. Ainsi, la demande pour ce type d’encapsulation des tranches de semi-conducteur et l’intérêt qu’on y porte croissent rapidement dans l’industrie. En plus de réduire considérablement le facteur de forme du dispositif enrobé final, cette nouvelle technologie améliore le rendement de la fabrication et réduit les coûts. Pour démontrer la faisabilité de cette nouvelle technologie, des jauges de Pirani ont été fabriquées, enrobées et scellées, et elles ont fonctionné comme prévu.
RÉFÉRENCE
[1] Paul-Vahe Cicek, Qing Zhang, Tanmoy Saha, Sareh Mahdavi, Karim Allidina, Frederic Nabki and Mourad El Gamal J. Micromech. Microeng. 23 065013 (2013)
CHERCHEURS IMPLIQUÉS
Professor Mourad El-Gamal (McGill University), Professor Frederik Nabki (UQAM)