Polissage mécano-chimique CMP
Polissage mécano-chimique CMP
| FABRICANT | Unico |
|---|---|
| MODÈLE | Power Spin |
Analyse :
- Système de polissage. Exemples :
- Planarisation de jonctions nanométriques pour la fabrication de dispositifs nanoélectroniques de type RRAM, SET, MIM
- Planarisation de nanofils métalliques
- Polissage de Si3N4, SiO2 pour diminuer la rugosité de surface
- Planarisation de microstructures d’or
Caractéristiques :
- Outil de polissage et planarisation pour films minces isolants, semi-conducteurs ou métalliques
- Épaisseurs des films de 20 nm à 2 µm
- Support pour wafer 4, échantillons carrés de 10 x 10 et 22 x 22 mm2
- Solutions de polissage acides, basiques ou neutres avec silice, alumine, ou cérium
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