Polissage et planarisation
Polissage et planarisation
| FABRICANT | Strasbaugh |
|---|---|
| MODÈLE | STB P300/ 6EH |
Description générale :
Polissage du silicium, du dioxyde de silicium, du cuivre et du tungstène sur des tranches de 200 mm
Caractéristiques :
- Gestion automatisée des tranches
- Modules de nettoyage compatibles pour les processus via cuivre / tungstène via silicium
- Polissage standard du silicium et du polysilicium
- Polissage et planarisation standard de l’oxyde de silicium
- Planarisation standard du cuivre
- Planarisation standard du tungstène
- Plage d’épaisseur des tranches: 300 – 1200 µm
- Non-uniformité d’épaisseur de tranche à tranche post-CMP: 9% (3 sigma)
- Polissage post-CMP dans la non-uniformité de l’épaisseur de la tranche: 15% (3 sigma)
- Métrologie in situ avec détection de point final
- Séchage, séchage avec opération de nettoyage in situ
- Gommage double face, nettoyage mégasonique
- Distribution en vrac des suspensions et des produits chimiques
Pour utiliser cet équipement
Les équipements présents sont accessibles à la communauté de recherche académique et industrielle.
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