Traitement thermique

FABRICANT SPT Micro
MODÈLE AVP-9200

Description générale :

Four vertical pour la croissance de couches minces d’oxyde de silicium humide/sec et le recuit d’hydrogène

Caractéristiques :

  • Épaisseur d’oxyde thermique: 140 ± 6 nm et 900 ± 20 nm
  • Non uniformité de l’épaisseur de la tranche: 0,5% (1 sigma)
  • Non-uniformité d’épaisseur de tranche à tranche: 0,4% (1 sigma)
  • Taille de la tranche: 150 mm, 200 mm
  • Tranches de production par chargement: 100
  • Plage d’épaisseur des tranches: 300 – 1700 µm
  • Plage de température: 950 ° C – 1150 ° C
  • Configuration de la chambre: Cross-flow
  • Gaz utilisés: oxygène, hydrogène, azote, TransLC
  • Contrôle du débit massique: ± 5 sccm du débit de gaz cible
  • Environnement de recuit: hydrogène / oxygène
  • Matériau de la tranche: silicium, silicium sur isolant (SOI)

Pour utiliser cet équipement

Les équipements présents sont accessibles à la communauté de recherche académique et industrielle.

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