Gravure par Plasma Haute Densité de Type icp-drie Procédé cryogénique
Gravure par Plasma Haute Densité de Type icp-drie Procédé cryogénique
Informations complémentaires
| FABRICANT | Oxford Instruments |
|---|---|
| MODÈLE | PlasmaLab System 100 – Modular ICP380 |
Échantillon
- Taille de photomasques : maximum 150 mm (6ˮ); épaisseur : maximum 6,35 mm (1/4ˮ)
- Taille d’échantillons : maximum 150 mm (6ˮ); épaisseur: maximum 6,35 mm (1/4ˮ)
- Appareil dédié à la gravure de silicium
Température et gaz accessibles
- Température : -150 °C à 400 °C
- Gaz: SF6, C4F8, CF4, O2, H2
Caractéristiques
- Source plasma haute densité ICP de 380 mm (générateur 2 MHz, 5 kW)
- Électrode inférieure de 240 mm (13.56 MHz, 600 W) avec accord d’impédance automatique et hauteur variable
- Pression typique d’opération: 1- 100 mTorr
- Chargement rapide des échantillons (loadlock)
- Système de détection de fin de gravure par interférométrie laser
- Nettoyage automatisé de la chambre
- Plateau à température cryogénique
PROCÉDÉS DE ROUTINE
Gravure Cryogénique Silicium
Gravure de silicium
- Taille de motif minimal atteinte : 20 nm
- Masques de gravure : Cr, Al, SiO2 ou résine
Pour utiliser cet équipement
Les équipements présents sont accessibles à la communauté de recherche académique et industrielle.
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