Dépôt chimique phase vapeur par plasma
Dépôt chimique phase vapeur par plasma
| FABRICANT | SPTS |
|---|---|
| MODÈLE | Versalis FxP APM200 |
Description générale :
Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma de silicium amorphe, de nitrure de silicium, de tétraéthylorthosilicate (TEOS)
Caractéristiques :
- Taille de la tranche: 200 mm
- Plage d’épaisseur des tranches: 300 – 1200 µm
- Plage de température: 100 – 400 ° C
- Plage de pression: 0,1 – 10 Torr
- Gaz utilisés: O2, N2, SiH4, NH3, He, Ar, TEOS, C3F8
- Matériau de la tranche: silicone, verre, tranches collées
- Procédés:
-
- Film de 0,5-1 µm d’épaisseur de nitrure de silicium déposé à 300°C
- 1 à 2,5 µm d’épaisseur de TEOS déposé à 300°C
- 0,5 -1 µm d’épaisseur Silicium amorphe déposé à 300°C
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