Gravure par Plasma Haute Densité de Type icp-drie Procédés bosch et cryogénique
Gravure par Plasma Haute Densité de Type icp-drie Procédés bosch et cryogénique
Informations complémentaires
| FABRICANT | Oxford Instruments |
|---|---|
| MODÈLE | PlasmaLab System 100 – Modular ICP180 |
Échantillons
- Taille d’échantillons : maximum 100 mm
- Dédié à la gravure de silicium
Température et Gaz
- Température : -150 ͦC à 400 ͦC
- Gas : SF6, C4F8, O2
PROCÉDÉS DE ROUTINE
Gravure cryogénique Silicium
- Masques : résine, SiO2, Cr
- Vitesse de gravure : 2.5 µm/min
- Sélectivité : 75 :1 pour résine positive; 150 :1 pour SiO2; infinie pour Cr
- Reproductibilité : ±4%
- Uniformité : ±5% sur 4 po
- Profil : 90° ±1°; aspect ratio : jusqu’à 30 :1
Gravure Bosch de Silicium
- Masques : résine, SiO2, Cr
- Vitesse de gravure : 2 µm/min
- Sélectivité : 75 :1 pour résine positive; 150 :1 pour SiO2; infinie pour Cr
- Reproductibilité : ±4%
- Profil : 90° ±1°; aspect ratio : jusqu’à 30 :1
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