Appareil de pulvérisation cathodique

Analyse :

Déposition de couches minces métalliques par un procédé de pulvérisation cathodique utilisant un plasma d’argon. Exemples de procédés disponibles :

• Dépôts métalliques sur matériaux peu conducteurs en vue d’observations par microscopie électronique
• Fabrication de marques d’alignement pour procédés lithographiques
• Fabrication de grilles métalliques dans des nanostructures

Caractéristiques :

• Plasma généré par une source de type magnétron fonctionnant à basse tension (100 à 150 V DC), ne requérant pas de refroidissement de la cible ni du porte-échantillon (hausse de température de l’échantillon inférieure à 10°C durant le procédé);
• Cible d’Or-Palladium (Au-Pd 60-40);
• Gaz de procédé : argon (3.5 x 10-1 mbar);
• Diamètre maximum des échantillons : 6 cm, compatible avec petits échantillons