Lithographie ebeam

Informations complémentaires

Instrument unique au Canada :

• Ayant une taille de champs allant jusqu’à 1.2 mm, une vitesse d’écriture maximale de 50 MH et une tension d’accélération de 100 keV.
• Taille de photomasques : 125 mm à 150 mm (5ˮ to 6ˮ); épaisseur: 6,35 mm (1/4ˮ) maximum
• Taille d’échantillons : 200 mm (8ˮ) maximum avec une aire d’écriture de 150 mm (6ˮ, NIST X-RAY Holder)
• Épaisseur : 1 mm maximum

Caractéristiques

• Accélération: de 20 à 100 keV
• Courant: 100 pA – 100 nA
• Taille des champs: jusqu’à 1.2 mm
• Résolution: selon le procédé (une résolution de 25 nm est routinière).
• Précision d’alignement: Précision de 5 nm à 35 nm selon la taille du champ.
• Vitesse d’écriture: 50 MHz
• Résolution de l’adresse: 20 bits
• Ajustement automatique du focus durant l’écriture
• Plateau intelligent avec précision de placement de 0.6 nm

PROCÉDÉ DE ROUTINE

Lithographie sur résine négative

• Taille de motif minimal atteinte : 50 nm
• Épaisseur atteinte: 50 nm à 600 nm

PROCÉDÉ DE ROUTINE

Lithographie sur résine positive

• Taille de motif minimal atteinte : 10 nm
• Épaisseur atteinte: 50 nm à 1500 nm